西北工业大学冯教授做客理学院解析宽光谱光电探测的关键路径

　　

近日，应理学院刘文林教授邀请，西北工业大学冯晴亮教授在理科楼A213作了一场题为“二维宽光谱响应材料的制备及其器件应用”的学术报告。学院相关方向的师生积极参会并开展深度交流座谈。

报告中，冯教授围绕二维半导体材料在光电探测与微纳电子器件领域的潜在应用优势展开介绍。他指出，二维半导体材料具有直接带隙、高载流子迁移率、柔性延展等优异性质，而发展二维材料可控制备与结构调控的新方法，对功能型器件的设计和构筑具有重要意义，是推动其实际应用的前提。

随后，冯教授重点分享了课题组在二维材料宽波段带隙调控与批量合成方面的最新进展，包括单层二硫化钼基合金化合物和薄层黑磷等材料制备的新方法与新机制。他还介绍了上述二维宽光谱响应材料器件在极端环境下宽光谱光电探测性能的变化规律，为二维材料基全天时光电探测与成像芯片的应用提供了理论支撑。

报告会后，冯教授与现场师生展开学术交流。师生们踊跃提问，就材料制备工艺、器件性能调控及应用前景等问题与冯教授深入探讨。冯教授一一耐心解答，现场气氛热烈。

本次报告会不仅展示了冯教授课题组在二维宽光谱响应材料领域的最新成果，更通过“制备—调控—器件—环境验证—应用出口”的完整逻辑链，为参会师生提供了一种可借鉴的研究范式。对于理学院物理学科而言，此次交流既是学术视野的拓展，也可能成为后续研究方向凝聚与跨校合作的起点。